本設備為以高精度機構將LED基板與CMOS Wafer對組,再以高溫裝置將金屬共晶。作業目的為將LED基板與CMOS Wafer對組共晶,使LED金屬電極腳與CMOS Wafer金屬電極腳連接導通,作使LED可以透由CMOS結合IC驅動點亮。