本装置は、LED基板とCMOSウエハーを高精度に組立て、高温装置で金属共晶させる装置です。 LED基板とCMOSウェーハを共晶させることで、LEDの金属電極端子とCMOSウェーハの金属電極端子を接続・導通させ、CMOS複合ICドライバでLEDを点灯させることを実現します。